FET 類型：N 溝道
技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：9A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：9.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±18V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：760pF @ 480V
功率耗散（最大值）：65W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：350 毫歐 @ 5.5A，8V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：PQFN（8x8）
封裝/外殼：3-PowerDFN
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs