制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:60 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:14 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:54 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:110 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:STripFET
高度:9.15 mm
長度:10.4 mm
系列:STP65NF06
晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET
寬度:4.6 mm
商標(biāo):STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值:50 S
下降時間:16 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:60 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:40 ns
典型接通延遲時間:15 ns
單位重量:330 mg