其它有關(guān)文件：STL18NM60N View All Specifications
特色產(chǎn)品：ST - PowerFLAT? 8x8 HV
標準包裝：3,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：MDmesh? II
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：2.1A（Ta），12A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：310 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：35nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1000pF @ 50V
功率 - 最大值：110W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：4-PowerFlat? HV
供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（8x8） HV
其它名稱：497-11847-2