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制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-262-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:55 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:16 V

Qg-柵極電荷:27 nC

最小工作溫度:- 60 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:80 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標名:STripFET

封裝:Tube

高度:4.6 mm

長度:10.4 mm

系列:STI55NF03L

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:9.35 mm

商標:STMicroelectronics

下降時間:50 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:400 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:25 ns

典型接通延遲時間:28 ns

單位重量:2.084 g