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不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2320pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：227W（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：290 毫歐 @ 11A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：PG-TO247-3

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss）：800V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：17A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：177nC @ 10V

安裝風格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Id-連續(xù)漏極電流：17A

Rds On-漏源導通電阻：290mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.1V

Qg-柵極電荷：88nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：227W

通道模式：Enhancement

商標名：CoolMOS

封裝：Tube

高度：21.1mm

長度：16.13mm

系列：CoolMOSC3

晶體管類型：1N-Channel

寬度：5.21mm

下降時間：12ns

上升時間：15ns

典型關閉延遲時間：72ns

典型接通延遲時間：25ns

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs