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Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：20A

Drain to Source Voltage (Vdss)：650V

FET Feature：Standard

FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：103nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：3000pF @ 25V

Mounting Type：Through Hole

Package / Case：TO-220-3

Power - Max：208W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：190 mOhm @ 13A, 10V

Supplier Device Package：P-TO220AB

Vgs(th) (Max) @ Id：5.5V @ 1mA

最大門(mén)源電壓：±20

安裝：Through Hole

包裝寬度：4.4

PCB：3

最大功率耗散：208000

最大漏源電壓：600

歐盟RoHS指令：Supplier Unconfirmed

最大漏源電阻：190@10V

每個(gè)芯片的元件數(shù)：1

最低工作溫度：-55

供應(yīng)商封裝形式：TO-220AB

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱(chēng)：TO-220

最高工作溫度：150

渠道類(lèi)型：N

包裝長(zhǎng)度：10

引腳數(shù)：3

通道模式：Enhancement

包裝高度：9.25

最大連續(xù)漏極電流：20

標(biāo)簽：Tab

鉛形狀：Through Hole