制造商:ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
RoHS:是
技術(shù):Si
封裝 / 箱體:TO-247-3
安裝風(fēng)格:Through Hole
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V
集電極—射極飽和電壓:1.6 V
柵極/發(fā)射極最大電壓:30 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:70 A
Pd-功率耗散:234 W
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 175 C
系列:RGTH80TS65D
封裝:Tube
集電極最大連續(xù)電流 Ic:70 A
工作溫度范圍:- 40 C to + 175 C
商標(biāo):ROHM Semiconductor
集電極連續(xù)電流:40 A
柵極—射極漏泄電流:+/- 200 nA
產(chǎn)品類型:IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量:450
子類別:IGBTs
零件號(hào)別名:RGTH80TS65D
單位重量:38 g