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制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:150 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :+/- 20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1100 mW

封裝 / 箱體:SOT-223-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single Dual Drain

下降時(shí)間:24 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:18 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:43 ns

典型接通延遲時(shí)間:13 ns