制造商:Cree, Inc.
產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS:是
晶體管極性:N-Channel
技術(shù):Si
Id-連續(xù)漏極電流:600 mA
Vds-漏源極擊穿電壓:105 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:70 mOhms
增益:19 dB
輸出功率:630 W
安裝風格:Screw Mount
封裝 / 箱體:PG-HB2SOF-6-1
封裝:Reel
工作頻率:920 MHz to 960 MHz
類型:RF Power MOSFET
商標:Wolfspeed / Cree
通道數(shù)量:2 Channel
產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors
工廠包裝數(shù)量:250
子類別:MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓:3.65 V