制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:150 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:52 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:110 W, 3.7 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
封裝:Reel
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
商標(biāo):ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:110 S
下降時(shí)間:8.5 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:55 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:5000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:37 ns
典型接通延遲時(shí)間:10 ns