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制造商:MACOM

產(chǎn)品種類(lèi):射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管

RoHS:是

晶體管類(lèi)型:HEMT

技術(shù):GaN Si

增益:21 dB

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:160 V

Vgs-柵源極擊穿電壓 :3 V

Id-連續(xù)漏極電流:24 mA

輸出功率:100 W

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 85 C

安裝風(fēng)格:Screw Mount

封裝:Tray

配置:Single

工作頻率:2 GHz

工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C

商標(biāo):MACOM

濕度敏感性:Yes

產(chǎn)品類(lèi)型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:200 mOhms

工廠包裝數(shù)量:20

子類(lèi)別:Transistors

Vgs th-柵源極閾值電壓:- 1.6 V