FET 類型:P 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.4A(Ta)
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):670pF @ 15V
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):53 毫歐 @ 4.4A,10V
安裝類型:表面貼裝
供應商器件封裝:SuperSOT?-8
封裝/外殼:8-SMD,鷗翼
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs