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制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:300 V

Id-連續(xù)漏極電流:69 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:49 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:156 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:HiPerFET

封裝:Tube

高度:21.46 mm

長度:16.26 mm

系列:IXFH69N30

晶體管類型:1 N-Channel

類型:PolarHT HiPerFET Power MOSFET

寬度:5.3 mm

商標(biāo):IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:30 S

下降時(shí)間:27 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:25 ns

工廠包裝數(shù)量:30

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:75 ns

典型接通延遲時(shí)間:25 ns

單位重量:6.500 g