驅(qū)動(dòng)配置：半橋
通道類型：獨(dú)立式
驅(qū)動(dòng)器數(shù)：2
柵極類型：IGBT，N 溝道 MOSFET
電壓 - 電源：10 V ~ 20 V
邏輯電壓?- VIL，VIH：0.8V，2.5V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：290mA，600mA
輸入類型：非反相
高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：200V
上升/下降時(shí)間（典型值）：70ns，30ns
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOIC 8N
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs