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IRFR430ATR PDF文件_規(guī)格信息

IRFR430ATR
規(guī)格信息：

產(chǎn)品種類MOSFET

晶體管極性N-Channel

汲極/源極擊穿電壓500 V

閘/源擊穿電壓+/- 30 V

漏極連續(xù)電流5 A

電阻汲極/源極 RDS（導通）1.7 Ohms

配置Single

最大工作溫度+ 150 C

安裝風格SMD/SMT

封裝 / 箱體DPAK

封裝Reel

下降時間16 ns

最小工作溫度- 55 C

功率耗散110 W

上升時間27 ns

工廠包裝數(shù)量2000

典型關閉延遲時間17 ns

IRFR430ATR

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關型號	產(chǎn)品購買
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IRFR430ATRA	Power MOSFET	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	2677.95 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
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IRFR430ATRA	Power MOSFET	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	2678.39 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買
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