產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計(jì)資源：IRFHM830TR2PBF Saber Model IRFHM830TR2PBF Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：21A（Ta），40A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.8 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 50µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：31nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2155pF @ 25V
功率 - 最大值：2.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-VQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：PQFN（3x3）
其它名稱：IRFHM830TR2PBFCT