FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：6.2A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：42nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1036pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
封裝形式Package：TO-252-3
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：600V
連續(xù)漏極電流ID：6.2A
漏源極導通電阻RDS(ON)：1.2Ohms
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs