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制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220AB-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:19 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:200 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:61 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:150 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:15.49 mm
長度:10.41 mm
系列:IRF
晶體管類型:1 P-Channel
寬度:4.7 mm
商標(biāo):Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值:6.2 S
下降時間:57 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:73 ns
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:34 ns
典型接通延遲時間:16 ns
單位重量:6 g
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