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產(chǎn)品種類MOSFET
晶體管極性N-Channel
汲極/源極擊穿電壓500 V
閘/源擊穿電壓+/- 30 V
漏極連續(xù)電流2.5 A
電阻汲極/源極 RDS(導通)0.21 Ohms
配置Single
最大工作溫度+ 150 C
安裝風格Through Hole
封裝 / 箱體TO-220
封裝Tube
下降時間35 ns
正向跨導 gFS(最大值/最小值)2.2 S
最小工作溫度- 55 C
功率耗散49 W
上升時間30 ns
工廠包裝數(shù)量50
典型關閉延遲時間40 ns
零件號別名IRF820B_NL
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