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制造商:International Rectifier

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:13.6 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:12.5 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOIC-8

商標(biāo):International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降時(shí)間:7.3 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:2.7 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9.7 ns

典型接通延遲時(shí)間:6.3 ns