封裝/外殼:SO8
FET 類型:N 溝道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.7A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):44nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1750pF @ 100V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 2.2A,10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
系列:HEXFET?
FET類型:N 溝道
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):3.7A(Ta)
驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id時的Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):44nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):1750pF @ 100V
不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):78 毫歐 @ 2.2A,10V
封裝形式Package:SOIC
極性Polarity:N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS:200V
連續(xù)漏極電流ID:3.7A
供應商器件封裝:8-SO
無鉛情況/RoHs:否