封裝/外殼：SO8
FET 類型：P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：16A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：7 毫歐 @ 16A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：91nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：8676pF @ 10V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝形式Package：SOIC
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：20V
連續(xù)漏極電流ID：16A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs