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典型關斷延遲時間31 ns

典型接通延遲時間8.3 ns

典型柵極電荷@Vgs3.6 nC V @ 4.5

典型輸入電容值@Vds320 pF V @ 15

安裝類型表面貼裝

寬度1.5mm

封裝類型TSOP

尺寸3 x 1.5 x 0.9mm

引腳數(shù)目6

最低工作溫度-55 °C

最大功率耗散960 mW

最大柵源電壓±12 V

最大漏源電壓20 V

最大漏源電阻值0.135

最大連續(xù)漏極電流2.2 A

最高工作溫度+150 °C

每片芯片元件數(shù)目2

類別功率 MOSFET

通道模式增強

通道類型P

配置雙

長度3mm

高度0.9mm