產品培訓模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標準包裝：800
類別：分立半導體產品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：92A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：6 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.45V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：24nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：2150pF @ 10V
功率 - 最大值：79W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D2PAK