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典型關(guān)斷延遲時(shí)間49 ns

典型接通延遲時(shí)間13 ns

典型柵極電荷@Vgs160 nC V @ 10

典型輸入電容值@Vds3820 pF V @ 25

安裝類型通孔

寬度4.69mm

封裝類型TO-262

尺寸10.54 x 4.69 x 10.54mm

引腳數(shù)目3

最低工作溫度-55 °C

最大功率耗散230 W

最大柵源電壓±20 V

最大漏源電壓75 V

最大漏源電阻值0.013

最大連續(xù)漏極電流82 A

最高工作溫度+175 °C

每片芯片元件數(shù)目1

類別功率 MOSFET

通道模式增強(qiáng)

通道類型N

配置單

長度10.54mm

高度10.54mm