FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：21A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 790μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：52nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2000pF @ 100V
功率耗散（最大值）：192W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：165 毫歐 @ 12A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3
封裝/外殼：PG-TO247-3
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：21 A
最大漏源電壓：650 V
最大漏源電阻值：160 m0hms
最大柵閾值電壓：3.5V
最小柵閾值電壓：2.5V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類型：TO-247
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：192 W
最高工作溫度：+150 °C
最低工作溫度：-55 °C
長(zhǎng)度：16.13mm
每片芯片元件數(shù)目：1
高度：21.1mm
正向二極管電壓：1.2V
寬度：5.21mm
尺寸：16.13 x 5.21 x 21.1mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：10 V 時(shí)，39 常閉
典型輸入電容值@Vds：2000 pF @ 100 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：50 ns
典型接通延遲時(shí)間：12 ns
系列：CoolMOS CP
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs