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IPW50R190CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO247-3

RoHS：Y

技術(shù)：Si

安裝風格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：500V

Id-連續(xù)漏極電流：24.8A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：190mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓：13V

Qg-柵極電荷：47.2nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：152W

通道模式：Enhancement

封裝：Tube

高度：21.1mm

長度：16.13mm

系列：CoolMOSCE

晶體管類型：1N-Channel

寬度：5.21mm

下降時間：7.5ns

MXHTS：85412999

上升時間：8.5ns

典型關(guān)閉延遲時間：54ns

典型接通延遲時間：9.5ns

商標名：CoolMOS

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPW50R190CE

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPW50R190CE	500V CoolMOSa?￠ CE Power MOSFET	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1164.99 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPW50R190CE	500V Superjunction MOSFET for Consumer and Lighting Applications	INFINEON[Infineon Technologies AG]	879.43 Kbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPW50R190CE	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2334.48 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPW50R190CE	500V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1880.51 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPW50R190CE	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.43 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPW50R190CE_15	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2334.48 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPW50R190CEFKSA1	MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247	Infineon Technologies	1.85 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPW50R190CEFKSA1	MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3	Infineon Technologies	1.85 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買

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IPW50R190CE相關(guān)型號規(guī)格信息

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