包裝標準卷帶
系列CoolMOS? CFD2
零件狀態(tài)有源
FET 類型N 通道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）16.6A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）210 毫歐 @ 7.3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 700μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）68nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1850pF @ 100V
FET 功能-
功率耗散（最大值）151W（Tc）
工作溫度-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝PG-VSON-4
封裝/外殼4-PowerTSFN