制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.6 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:166 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:250 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:OptiMOS
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:4.4 mm
長度:10 mm
系列:OptiMOS 3
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:9.25 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值:113 S
下降時間:38 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:79 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:131 ns
典型接通延遲時間:35 ns
零件號別名:G IPB019N06L3 IPB19N6L3GXT SP000453020
單位重量:4 g