產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
配置：2-Phase
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
集電極—射極飽和電壓：1.65 V
功率耗散：65 W
最大工作溫度：+ 150 C
封裝 / 箱體：MSIP-17
封裝：Reel
商標(biāo)：Infineon Technologies
最小工作溫度：- 40 C
安裝風(fēng)格：Through Hole
工廠包裝數(shù)量：200
商標(biāo)名：CIPOS
ROHS： 無鉛