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封裝/外殼：--

Packing Type：WAFER SAWN

VDS max：1200.0V

Technology：Emitter Controlled Diode 4 Medium Power

IR max：7.7μA

IF max：35.0A

VF：1.7V

I(FSM) max：70.0A

RoHS compliant：yes

Packing Type：WAFER SAWN

VDS max：1200.0V

Technology：Emitter Controlled Diode 4 Medium Power

IR max：7.7μA

VDS max：1200.0 V

IF max：35.0A

VF：1.7V

IF max：35.0 A

IR max：7.7 μA

I(FSM) max：70.0A

I(FSM) max：70.0 A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs