制造商:Cree, Inc.
產(chǎn)品種類:射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管
RoHS:是
晶體管類型:HEMT
技術(shù):GaN SiC
增益:18 dB
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:150 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 :- 10 V to 2 V
Id-連續(xù)漏極電流:10 A
輸出功率:600 W
最大漏極/柵極電壓:-
安裝風(fēng)格:Screw Mount
封裝 / 箱體:H-36248-2
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
工作頻率:1.2 GHz to 1.4 GHz
商標(biāo):Wolfspeed / Cree
產(chǎn)品類型:RF JFET Transistors
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:Transistors
Vgs th-柵源極閾值電壓:- 3 V