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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:11.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:175 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:53 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:QFET

封裝:Tube

高度:16.3 mm

長度:10.67 mm

系列:FQP11P06

晶體管類型:1 P-Channel

類型:MOSFET

寬度:4.7 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:5.1 S

下降時間:45 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:40 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:15 ns

典型接通延遲時間:6.5 ns

單位重量:1.800 g