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制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-262-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:57 A
Rds On-漏源導通電阻:12 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:110 W
配置:Single
商標名:PowerTrench
封裝:Tube
高度:7.88 mm
長度:10.29 mm
系列:FDI150N10
晶體管類型:1 N-Channel
類型:Power Trench MOSFET
寬度:4.83 mm
商標:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:156 S
下降時間:83 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:164 ns
工廠包裝數(shù)量:800
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:86 ns
典型接通延遲時間:47 ns
單位重量:2.084 g
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