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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:VSON-8

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:10 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:17.3 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:42.8 nC, 42.8 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:15.6 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:CSD87503Q3E

晶體管類型:2 N-Channel

商標(biāo):Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值:24 S, 24 S

下降時間:8 ns, 8 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:40 ns, 40 ns

工廠包裝數(shù)量:250

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:25 ns, 25 ns

典型接通延遲時間:10 ns, 10 ns