制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:LSON-CLIP-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
Id-連續(xù)漏極電流:50 A
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V, 750 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
Qg-柵極電荷:9.7 nC, 23 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:13 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.5 mm
長度:6 mm
系列:CSD86360Q5D
晶體管類型:2 N-Channel
類型:Synchronous Buck MOSFET Driver
寬度:5 mm
商標(biāo):Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:113 S, 169 S
下降時(shí)間:4.3 ns, 6.6 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:20.4 ns, 14.8 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14.5 ns, 29.3 ns
典型接通延遲時(shí)間:8.4 ns, 9.5 ns
單位重量:170 mg