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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DSBGA-9

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:8 V

Id-連續(xù)漏極電流:2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.1 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:6 V

Qg-柵極電荷:14.6 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:CSD22206W

晶體管類型:1 P-Channel

商標(biāo):Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值:20 S

下降時(shí)間:45 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:17 ns

工廠包裝數(shù)量:250

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:118 ns

典型接通延遲時(shí)間:37 ns

單位重量:200 mg