FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：250V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
Vgs（最大值）：±15V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：230pF @ 20V
FET 功能：耗盡模式
功率耗散（最大值）：1.8W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.5 歐姆 @ 300mA， 0V
工作溫度：-55°C ~ 110°C（TA）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs