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BSS215P PDF文件_規(guī)格信息

BSS215P
規(guī)格信息：

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

IDpuls max：-6.0A

VDS max：-20.0V

ID max：-1.5 A

Package：SOT-23

Rth：250.0K/W

QG：-3.6nC

Budgetary Price ?€/1k：0.04

RDS (on) (@4.5V) max：150.0m?

Ptot max：0.5W

VGS(th) min max：-1.2 V -0.6 V

Coss：102.0pF

Ciss：260.0 pF

RDS (on) (@2.5V) max：280.0 m?

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSS215P

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
BSS215P	OptiMOSa?￠ P2 Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	274.66 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS215P	OptiMOS P2 Small-Signal-Transistor Super Logic Level (2.5V rated) Avalanche rated	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	240.9 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS215P	OptiMOSa?￠ P2 Small-Signal-Transistor	ZPSEMI[ZP Semiconductor]	197.92 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS215P	OptiMOS P2 Small-Signal-Transistor	TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]	109.02 Kbytes	共3頁	產(chǎn)品購買
BSS215P H6327	MOSFET P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3	Infineon Technologies	182.48 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS215P H6327	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.5A 漏源電壓（Vdss）：-20V 柵源極閾值電壓：1.2V @ 11uA 漏源導(dǎo)通電阻：150mΩ @ 1.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 類型：P溝道	Infineon(英飛凌)	181.85 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS215PH6327XT	MOSFET P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3	Infineon Technologies	182.48 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS215PH6327XTSA1	MOSFET P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3	Infineon Technologies	182.48 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS215PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23	Infineon Technologies	181.85 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS215PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3	Infineon Technologies	181.85 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
BSS215PL6327HTSA1	MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23	Infineon Technologies	564.91 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買