FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：170mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：2.8nC @ 7V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：68pF @ 10V
FET 功能：耗盡模式
功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：6 歐姆 @ 170mA，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：PG-SOT23-3
封裝/外殼：TO-236-3
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：90 mA
最大漏源電壓：100 V
最大漏源電阻值：12 0hms
最大柵閾值電壓：1.8V
最小柵閾值電壓：2.9V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：SOT-23
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強
類別：小信號
最大功率耗散：360 mW
高度：1mm
尺寸：2.9 x 1.3 x 1mm
系列：SIPMOS
每片芯片元件數(shù)目：1
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：2.1 nC @ 7 V
典型輸入電容值@Vds：51 pF @ 25 V
典型關斷延遲時間：11 ns
典型接通延遲時間：2.9 ns
寬度：1.3mm
最高工作溫度：+150 °C
最低工作溫度：-55 °C
長度：2.9mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs