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BSP297 PDF文件_規(guī)格信息

BSP297
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-4

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：1800.0m?

IDpuls max：2.6A

VDS max：200.0V

ID max：0.66A

Package：SOT-223

QG：12.9 nC

Budgetary Price ?€/1k：0.2

RDS (on) (@4.5V) max：3000.0m?

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：1.8W

Polarity：N

Pin Count：4.0Pins

VGS(th) min max：0.8 V 1.8 V

Mounting：SMD

Mode：Enhancement

Coss：38.0pF

Ciss：286.0 pF

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

BSP297

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購買
BSP297	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)	SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]	172.89 Kbytes	共9頁	BSS295,BSP315,BSS123,BSS296,BSP316,BSS297,BSP123,BSP317,BSS84,BSS87	產(chǎn)品購買
BSP297	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	190.75 Kbytes	共8頁	BSP135,BSS7728N,BSO-302SN,BSP149,SN7002N,BSP170P,BSP613P,SN7002W,BSP171P,BSS83P	產(chǎn)品購買
BSP297	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	657.11 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP297 E6327	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223	Infineon Technologies	574.74 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP297 E6327	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	Infineon Technologies	574.74 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP297 H6327	MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3	Infineon Technologies	574.10 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP297 H6327		Infineon(英飛凌)	574.74 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP297_09	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	657.11 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP297H6327XTSA1	MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3	Infineon Technologies	574.10 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP297H6327XTSA1	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	Infineon Technologies	574.74 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP297L6327HTSA1	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223	Infineon Technologies	574.74 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP297L6327HTSA1	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	Infineon Technologies	574.74 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
BSP297L6327HTSA1	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4	Infineon Technologies	574.74 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買