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BSP171P PDF文件_規(guī)格信息

BSP171P
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-SOT223-4

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：300.0m?

IDpuls max：-7.6A

VDS max：-60.0V

ID max：-1.9 A

Package：SOT-223

Rth：110.0 K/W

QG：-13.0 nC

Budgetary Price ?€/1k：0.21

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：1.8W

Polarity：P

Pin Count：4.0 Pins

VGS(th) min max：-1.0 V -2.0 V

Mounting：SMD

Mode：Enhancement

Coss：105.0 pF

Ciss：365.0 pF

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

BSP171P

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171P	SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated Logic Level dv/dt rated)	SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]	60.23 Kbytes	共5頁(yè)	BSP170P,BSP171,BSP319,BSP372,BUZ111SL,BUZ171,BUZ103AL,BUZ172,BUZ100L,BUZ11AL	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171P	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	218.49 Kbytes	共9頁(yè)	BSP135,BSS7728N,BSO-302SN,BSP149,SN7002N,BSP170P,BSP613P,SN7002W,BSS83P,BSP296	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171P	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	600.79 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171P	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	621.77 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171P H6327	MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3	Infineon Technologies	614.78 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171P H6327		Infineon(英飛凌)	616.15 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171P_07	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	600.79 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171PE6327	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4	Infineon Technologies	616.15 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171PE6327T	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4	Infineon Technologies	616.15 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171PH6327XTSA1	MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3	Infineon Technologies	614.38 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4	Infineon Technologies	616.15 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171PH6327XTSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：1.9A 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：2V @ 460uA 漏源導(dǎo)通電阻：300mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 類(lèi)型：P溝道	Infineon(英飛凌)	616.15 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171P-L6327	SIPMOS Small-Signal-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	621.77 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSP171PL6327HTSA1	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223	Infineon Technologies	616.15 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)