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BSC009NE2LS5
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TDSON-8

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：0.9m?

IDpuls max：400.0A

VDS max：25.0V

ID max：100.0A

Package：SuperSO8

Rth：1.7K/W

QG：43.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.64

RDS (on) (@4.5V) max：1.25m?

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：74.0W

Polarity：N

Pin Count：8.0Pins

RthJA max：50.0K/W

Mounting：SMD

Coss：1400.0pF

Ciss：2900.0pF

VGS(th) min max：1.2V 2.0V

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

BSC009NE2LS5

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSC009NE2LS5	Optimized for high performance buck converters	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1549.09 Kbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSC009NE2LS5ATMA1	MOSFET LV POWER MOS	Infineon Technologies	1.46 Mbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSC009NE2LS5ATMA1	MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON	Infineon Technologies	1.25 Mbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSC009NE2LS5I	Optimized for high performance buck converters	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1575.99 Kbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSC009NE2LS5IATMA1	MOSFET LV POWER MOS	Infineon Technologies	1.27 Mbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSC009NE2LS5IATMA1	MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON	Infineon Technologies	1.27 Mbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
BSC009NE2LS5IATMA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：40A 漏源電壓（Vdss）：25V 柵源極閾值電壓：2V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：0.95mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.54 Mbytes	共13頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)