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制造商:NXP

產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管

Id-連續(xù)漏極電流:2.2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:65 V

Rds On-漏源導通電阻:1.2 Ohmss

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :+/- 15 V

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT502B

封裝:Bulk

商標:NXP Semiconductors

最小工作溫度:- 65 C