數(shù)據(jù)列表：APTM120DA56T1G Power Products Catalog
標準包裝：1
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 模塊
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：18A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：672 毫歐 @ 14A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：300nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：7736pF @ 25V
功率 - 最大值：390W
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：SP1
供應商器件封裝：SP1