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制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

RoHS:是

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:3-Phase

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1.2 kV

集電極—射極飽和電壓:1.85 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:65 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

Pd-功率耗散:220 W

封裝 / 箱體:SP3-32

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 100 C

封裝:Tube

商標:Microchip / Microsemi

安裝風格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:1

子類別:IGBTs