Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：71A
Drain to Source Voltage (Vdss)：500V
FET Feature：Standard
FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs：200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds：10550pF @ 25V
Mounting Type：Chassis Mount
Package / Case：SOT-227-4, miniBLOC
Power - Max：595W
Rds On (Max) @ Id, Vgs：50 mOhm @ 35.5A, 10V
Supplier Device Package：ISOTOP?
Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 5mA
包裝：4SOT-227
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：500 V
最大連續(xù)漏極電流：71 A
RDS -于：50@10V mOhm
最大門源電壓：±30 V
典型導(dǎo)通延遲時間：24 ns
典型上升時間：18 ns
典型關(guān)閉延遲時間：55 ns
典型下降時間：10 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Screw
標準包裝：Rail / Tube
最大門源電壓：±30
歐盟RoHS指令：Compliant
最高工作溫度：150
標準包裝名稱：SOT-227
最低工作溫度：-55
渠道類型：N
最大漏源電阻：50@10V
最大漏源電壓：500
每個芯片的元件數(shù)：1
供應(yīng)商封裝形式：SOT-227
最大功率耗散：595000
最大連續(xù)漏極電流：71
引腳數(shù)：4
鉛形狀：Screw
刪除：Compliant
連續(xù)漏極電流：71 A
柵源電壓（最大值）：?30 V
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：SOT-227
極性：N
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：1
工作溫度分類：Military
漏源導(dǎo)通電壓：500 V
弧度硬化：No