數(shù)據(jù)列表：APT50GP60B2DQ2(G)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：IGBT - 單路
系列：POWER MOS 7®
包裝：管件
IGBT 類(lèi)型：PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）：150A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)：190A
不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）：2.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值：625W
開(kāi)關(guān)能量：465µJ（開(kāi)），635µJ（關(guān)）
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：165nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：19ns/85ns
測(cè)試條件：400V，50A，4.3 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：-
封裝/外殼：TO-247-3 變式
安裝類(lèi)型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：*
其它名稱(chēng)：APT50GP60B2DQ2GMIAPT50GP60B2DQ2GMI-ND