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制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

RoHS:是

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:900 V

集電極—射極飽和電壓:2.5 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:87 A

柵極—射極漏泄電流:100 nA

Pd-功率耗散:284 W

封裝 / 箱體:SOT-227-4

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tube

高度:9.6 mm

長度:38.2 mm

工作溫度范圍:- 55 C to + 150 C

寬度:25.4 mm

商標(biāo):Microchip / Microsemi

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:30 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:1

子類別:IGBTs

商標(biāo)名:POWER MOS 8, ISOTOP

單位重量:30 g