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系列：AO

FET類型：P 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：12A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，20V

不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：39nC @ 10V

不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2600pF @ 15V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：11 毫歐 @ 12A，20V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC

封裝形式Package：SOIC

極性Polarity：P-CH

漏源極擊穿電壓VDSS：30V

連續(xù)漏極電流ID：12A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs